DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 26.5 A 2.1 W, 8-Pin PowerDI3333-8

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RS Best.-Nr.:
222-2873
Herst. Teile-Nr.:
DMT4014LDV-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DMT

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.019Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Niedriger RDS(ON) - Stellt sicher, dass Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

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