DiodesZetex DMT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,397 € | 29,78 € |
| 150 - 450 | 0,342 € | 25,65 € |
| 525 - 975 | 0,333 € | 24,98 € |
| 1050 + | 0,325 € | 24,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte