DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

15,50 €

(ohne MwSt.)

18,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 75 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 250,62 €15,50 €
50 - 750,607 €15,18 €
100 - 4750,429 €10,73 €
500 - 9750,357 €8,93 €
1000 +0,316 €7,90 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2883
Herst. Teile-Nr.:
DMT69M5LH3
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.1mm

Länge

6.6mm

Breite

2.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

Verwandte Links

Recently viewed