Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 156 W, 3-Pin IPP60R070CFD7XKSA1 TO-220

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222-4698
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R070CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.57mm

Länge

10.36mm

Breite

15.95 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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