Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
222-4712
Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R600P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

43.1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

6.1mm

Breite

2.38 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Integrierte ESD-Schutzdiode

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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