Infineon IPS70R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-4934
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4934
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R600P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | IPS70R | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie IPS70R | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.4 mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon wurde entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Flyback-Topologien gerecht zu werden - die neue Superjunction-MOSFET-Serie 700V CoolMOS TM P7 ist für den energiesparenden SMPS-Markt wie Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Superjunction-Technologien. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction MOSFET-Erfahrung, 700 V.
Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten
Integrierte Zenerdiode
Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V.
Fein abgestuftes Portfolio
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