Infineon CoolMOS™ P7 IPS70R900P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)
- RS Best.-Nr.:
- 222-4936
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
0,455 €
(ohne MwSt.)
0,541 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,455 € | 11,375 € |
| 125 - 225 | 0,354 € | 8,85 € |
| 250 - 600 | 0,332 € | 8,30 € |
| 625 - 1225 | 0,309 € | 7,725 € |
| 1250 + | 0,286 € | 7,15 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 222-4936
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon wurde entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Flyback-Topologien gerecht zu werden - die neue Superjunction-MOSFET-Serie 700V CoolMOS TM P7 ist für den energiesparenden SMPS-Markt wie Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Superjunction-Technologien. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction-MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V CoolMOS TM P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:
Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten
Integrierte Zenerdiode
Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V.
Fein abgestuftes Portfolio
Integrierte Zenerdiode
Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V.
Fein abgestuftes Portfolio
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
| Gehäusegröße | IPAK SL (TO-251 SL) |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 900 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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