Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 557 A 416 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
222-4754
Herst. Teile-Nr.:
IRL40SC228
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

557A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

307nC

Maximale Verlustleistung Pd

416W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.54mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 557A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRL40SC228


Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für verschiedene Anwendungen konzipiert, die eine robuste Leistung und Effizienz erfordern. Er verfügt über ein kompaktes D2PAK-7-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das eine bequeme Installation in platzbeschränkten Umgebungen gewährleistet. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 557A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40V sind seine Abmessungen 10,54mm in der Länge, 9,65mm in der Breite und 4,83mm in der Höhe.

Eigenschaften und Vorteile


• Optimiert für Logic Level Drive für verbesserte Kompatibilität

• Niedriger RDS(on) von 0,50mΩ für geringere Verlustleistung

• Hohe Strombelastbarkeit von bis zu 557 A für anspruchsvolle Anwendungen

• Vielseitige Anwendungen in Motorantrieben und Stromversorgungen

Anwendungen


• Geeignet für Bürsten- und BLDC-Motorantriebsschaltungen

• Ideal für batteriebetriebene elektronische Systeme

• Verwendung in Halbbrücken- und Vollbrücken-Schaltungstopologien

• Wirksam als Synchrongleichrichter in der Stromversorgung

• Verwendung in DC-DC- und AC-DC-Wandlern

Was sind die Hauptvorteile der Verwendung dieses Geräts in Hochstromanwendungen?


Der niedrige Einschaltwiderstand des Bauelements verbessert den Wirkungsgrad erheblich und ermöglicht einen höheren Stromfluss ohne wesentliche Wärmeentwicklung. Dies unterstützt die Zuverlässigkeit und Leistung in anspruchsvollen Situationen, in denen die Stromkapazität entscheidend ist.

Wie verhält sich dieser MOSFET unter Hochtemperaturbedingungen?


Er arbeitet effektiv über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet Stabilität und Funktionalität auch unter extremen Betriebsbedingungen.

Welche Merkmale verbessern die Robustheit dieses MOSFETs im Betrieb?


Verbesserte Gate- und Avalanche-Robustheit schützen ihn vor Spannungsspitzen, während seine niedrigen dynamischen dV/dt-Fähigkeiten zu einer gleichbleibenden Leistung unter schnell wechselnden Bedingungen beitragen.

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