Infineon IMBF1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.2 A, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

1.854,00 €

(ohne MwSt.)

2.206,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 27. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +1,854 €1.854,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4847
Herst. Teile-Nr.:
IMBF170R1K0M1XTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IMBF1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC TM SiC-1700-V-, 1000-mΩ-SiC-MOSFET in einem TO-263-7-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke ist für Fly-Back-Topologien optimiert, die in Hilfsnetzteilen verwendet werden, die an DC-Zwischenkreisspannungen von 600 V bis 1000 V in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen angeschlossen sind.

Optimiert für Fly-Back-Topologien

Extrem niedrige Schaltverluste

12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel mit Fly-Back-Controllern

Vollständig steuerbarer dV/dt zur EMI-Optimierung

SMD-Gehäuse mit verbesserten Kriech- und Sicherheitsabständen, > 7 mm

Verwandte Links