Littelfuse LSIC1MO170T0750 LSIC1MO170T0750-TU N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 4,5 A, 7-Pin TO-263-7

Die neuen 1700V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Littelfuse mit 750 mOhm werden im TO-263-7L-Gehäuse präsentiert. Der getrennte Quellstift verringert den parasitären Quellinduktivitätsweg zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung der Effizienz in Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Betriebstemperatur der Anschlussstelle beträgt 175 °C.
Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.

Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Anwendungen
Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang
Kapazität
Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin
MSL 1-Nennwert