- RS Best.-Nr.:
- 223-3049
- Herst. Teile-Nr.:
- LSIC1MO170T0750-TU
- Marke:
- Littelfuse
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die neuen 1700V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Littelfuse mit 750 mOhm werden im TO-263-7L-Gehäuse präsentiert. Der getrennte Quellstift verringert den parasitären Quellinduktivitätsweg zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung der Effizienz in Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Betriebstemperatur der Anschlussstelle beträgt 175 °C.
Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.
Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.
Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Anwendungen
Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang
Kapazität
Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin
MSL 1-Nennwert
Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang
Kapazität
Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin
MSL 1-Nennwert
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1700 V |
Gehäusegröße | TO-263-7 |
Serie | LSIC1MO170T0750 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,75 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.8V |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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