Wolfspeed N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.3 A 78 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 915-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170J
- Marke:
- Wolfspeed
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- C2M1000170J
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10, +25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.99mm | |
| Länge | 10.23mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Durchlassspannung Vf 3.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10, +25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.99mm | ||
Länge 10.23mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb