Wolfspeed C3M N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 11 A 50 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 192-3509
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0280090J
- Marke:
- Wolfspeed
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- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | C3M | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, 18V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.12mm | |
| Länge | 10.23mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie C3M | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, 18V | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.12mm | ||
Länge 10.23mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsgerätetechnologie vor: Die branchenweit erste 900-V-MOSFET-Plattform. Die neue 900-V-Plattform wurde für Hochfrequenz-Leistungselektronikanwendungen wie Wechselrichter für erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und dreiphasige industrielle Netzteile optimiert und ermöglicht kleinere und effizientere Stromwandlungssysteme der nächsten Generation zu gleichen Kosten wie siliziumbasierte Lösungen.
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringen Kapazitäten
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben