Wolfspeed C3M0065090J N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 35 A 113 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 915-8830
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065090J
- Marke:
- Wolfspeed
5 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück
14,02 €
(ohne MwSt.)
16,68 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,02 € |
| 10 - 24 | 12,60 € |
| 25 - 49 | 12,25 € |
| 50 - 99 | 11,95 € |
| 100 + | 11,59 € |
- RS Best.-Nr.:
- 915-8830
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065090J
- Marke:
- Wolfspeed
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 35 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 7 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 78 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
| Verlustleistung max. | 113 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | +25 V |
| Breite | 10.99mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Länge | 10.23mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 15 V |
| Höhe | 4.57mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 4.4V |
Verwandte Produkte
- Wolfspeed C3M0065090J N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 35 A 113 W,...
- Wolfspeed C3M0280090J N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 11 A 50 W, 7-Pin TO-263-7
- Wolfspeed C3M0120090J N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 22 A 83 W, 7-Pin TO-263-7
- Wolfspeed C2M1000170J N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 5,3 A 78 W,...
- Wolfspeed C3M0120090D N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 23 A 97 W, 3-Pin TO-247
- Wolfspeed C3M0065090D N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 36 A 125 W, 3-Pin TO-247
- Wolfspeed C3M0280090D N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 11,5 A 54 W, 3-Pin TO-247
- Wolfspeed C3M0030090K N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 63 A 149 W,...