Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1 kV / 22 A 83 W, 8-Pin C3M0120100J TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 150-3965
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0120100J
- Marke:
- Wolfspeed
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | C3M | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 9 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.23mm | |
| Höhe | 4.32mm | |
| Breite | 9.12 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie C3M | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 9 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.23mm | ||
Höhe 4.32mm | ||
Breite 9.12 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsbauelementtechnologie mit dem branchenweit einzigen 1kV-SiC-MOSFET in einem neu optimierten Gehäuse vor, das für schnelle Schaltgeräte geeignet ist. Das neue 1-kV-Gerät wurde optimiert für Ladesysteme von Elektrofahrzeugen und dreiphasige industrielle Stromversorgungen und löst viele Herausforderungen beim Stromversorgungsdesign, indem es ein einzigartiges Gerät mit niedrigem Einschaltwiderstand, sehr geringer Ausgangskapazität und niedriger Quelleninduktivität bereitstellt – für eine perfekte Mischung aus niedrigen Schaltverlusten und niedrigen Leitungsverlusten.
Mindestens 1 kV Spannungsausfall über den gesamten BetriebstemperaturbereichGehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem TreiberquellenpolHohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger AusgangskapazitätHohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
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