Wolfspeed C3M0065090J N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 35 A 113 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 162-9713
Herst. Teile-Nr.:: C3M0065090J
Marke:: Wolfspeed

Wolfspeed C3M0065090J N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 35 A 113 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 162-9713
Herst. Teile-Nr.:: C3M0065090J
Marke:: Wolfspeed

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb

MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	35 A
Drain-Source-Spannung max.	900 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	78 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.1V
Gate-Schwellenspannung min.	1.8V
Verlustleistung max.	113 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	+25 V
Transistor-Werkstoff	SiC
Gate-Ladung typ. @ Vgs	30 nC @ 15 V
Länge	10.23mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	10.99mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.57mm
Diodendurchschlagsspannung	4.4V