Infineon IMBF1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 7.4 A, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

10,56 €

(ohne MwSt.)

12,56 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.730 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 185,28 €10,56 €
20 - 484,80 €9,60 €
50 - 984,485 €8,97 €
100 - 1984,17 €8,34 €
200 +3,85 €7,70 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4851
Herst. Teile-Nr.:
IMBF170R650M1XTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Serie

IMBF1

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

650mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC TM SiC-MOSFET mit 1700 V, 650 mΩ in einem TO-263-7-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke ist für Fly-Back-Topologien optimiert, die in Hilfsnetzteilen verwendet werden, die an DC-Zwischenkreisspannungen mit 600 V bis 1000 V in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen angeschlossen sind.

Optimiert für Fly-Back-Topologien

Extrem niedrige Schaltverluste

12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel mit Fly-Back-Controllern

Vollständig steuerbarer dV/dt zur EMI-Optimierung

SMD-Gehäuse mit verbesserten Kriech- und Sicherheitsabständen, > 7 mm

Verwandte Links