Infineon CoolMOS™ G7 IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK

Die Infineon Technologien führen das Double DPAK (DDPAK) ein, das erste SMD-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile des bereits vorhandenen 600-V-CoolMOS-G7-Superjunction-(SJ)-MOSFET mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite sind eine Systemlösung für Starkstrom-Hartschaltsopologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.

Ermöglicht höchste Energieeffizienz
Die thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte
Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit
Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte
Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards