Infineon IPP60R N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 390 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
375,05 €
(ohne MwSt.)
446,30 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 350 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,501 € | 375,05 € |
| 100 - 100 | 7,126 € | 356,30 € |
| 150 + | 6,746 € | 337,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP60R | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP60R | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon S7-Superjunction-MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 wurde für geringe Leitungsverluste optimiert und bietet den besten RDS(on) x-Preis für Anwendungen mit niedriger Schaltfrequenz, wie z. B. aktive Brückengleichrichter, Wechselrichterstufen, Einschaltstromrelais, SPS, HV-DC-Leitungen, Leistungsrelais und Halbleiterschutzschalter. Der 600-V-CoolMOS-S7-SJ-MOSFET erreicht eine höhere Energieeffizienz und reduziert die BOM-Kosten.
Minimierung von Leitungsverlusten
Steigerung der Energieeffizienz
Kompaktere und einfachere Designs
Eliminieren oder Reduzieren von Kühlkörpern in Halbleiterbauweise
Geringere Gesamtkosten (TCO) oder Stücklistenkosten (BOM)