Infineon IPP60R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 390 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
222-4923
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R022S7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP60R

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.45mm

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon S7-Superjunction-MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 wurde für geringe Leitungsverluste optimiert und bietet den besten RDS(on) x-Preis für Anwendungen mit niedriger Schaltfrequenz, wie z. B. aktive Brückengleichrichter, Wechselrichterstufen, Einschaltstromrelais, SPS, HV-DC-Leitungen, Leistungsrelais und Halbleiterschutzschalter. Der 600-V-CoolMOS-S7-SJ-MOSFET erreicht eine höhere Energieeffizienz und reduziert die BOM-Kosten.

Minimierung von Leitungsverlusten

Steigerung der Energieeffizienz

Kompaktere und einfachere Designs

Eliminieren oder Reduzieren von Kühlkörpern in Halbleiterbauweise

Geringere Gesamtkosten (TCO) oder Stücklistenkosten (BOM)

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