Infineon IPP60R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 390 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

284,05 €

(ohne MwSt.)

338,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 350 Einheit(en) mit Versand ab 22. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 505,681 €284,05 €
100 - 1005,397 €269,85 €
150 +5,056 €252,80 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4923
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R022S7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP60R

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon S7-Superjunction-MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 wurde für geringe Leitungsverluste optimiert und bietet den besten RDS(on) x-Preis für Anwendungen mit niedriger Schaltfrequenz, wie z. B. aktive Brückengleichrichter, Wechselrichterstufen, Einschaltstromrelais, SPS, HV-DC-Leitungen, Leistungsrelais und Halbleiterschutzschalter. Der 600-V-CoolMOS-S7-SJ-MOSFET erreicht eine höhere Energieeffizienz und reduziert die BOM-Kosten.

Minimierung von Leitungsverlusten

Steigerung der Energieeffizienz

Kompaktere und einfachere Designs

Eliminieren oder Reduzieren von Kühlkörpern in Halbleiterbauweise

Geringere Gesamtkosten (TCO) oder Stücklistenkosten (BOM)

Verwandte Links