Infineon IPP60R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin IPP60R120P7XKSA1 TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,48 €

(ohne MwSt.)

14,85 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 475 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,496 €12,48 €
25 - 452,124 €10,62 €
50 - 1201,974 €9,87 €
125 - 2451,846 €9,23 €
250 +1,698 €8,49 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4929
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R120P7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPP60R

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

95W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.45mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600V CoolMOS TM P7 ist der Nachfolger der 600V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Verwandte Links