Infineon CoolMOS™ P7 IPS70R1K4P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 4 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

RS Best.-Nr.:: 222-4930
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R1K4P7SAKMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ P7 IPS70R1K4P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 4 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

600 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer Stange von 75)

0,203 €

(ohne MwSt.)

0,242 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
75 - 75	0,203 €	15,225 €
150 - 300	0,179 €	13,425 €
375 - 675	0,174 €	13,05 €
750 - 1800	0,17 €	12,75 €
1875 +	0,165 €	12,375 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 222-4930
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R1K4P7SAKMA1
Marke:: Infineon

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Datasheet - IPS70R1K4P7SAKMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon wurde entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Flyback-Topologien gerecht zu werden - die neue Superjunction-MOSFET-Serie 700V CoolMOS TM P7 ist für den energiesparenden SMPS-Markt wie Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Superjunction-Technologien. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction MOSFET-Erfahrung, 700 V.

Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten
Integrierte Zenerdiode
Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V.
Fein abgestuftes Portfolio

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	700 V
Serie	CoolMOS™ P7
Gehäusegröße	IPAK SL (TO-251 SL)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1400 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon CoolMOS™ P7 IPS70R1K4P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 4 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

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