Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

912,50 €

(ohne MwSt.)

1.085,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 25000,365 €912,50 €
5000 +0,346 €865,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
223-8514
Herst. Teile-Nr.:
IPD26N06S2L35ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Durchlassspannung Vf

0.95V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie in DPAK-Gehäuse. Sie bietet die Vorteile höchster Strombelastbarkeit, niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz und robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Kfz AEC Q101 zugelassen

• MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow

• Betriebstemperatur: 175 °C.

• Grünes Gehäuse

• Sehr niedrige Rds

• 100 % Lawinenprüfung

Verwandte Links