Infineon OptiMOS™ IPD26N06S2L35ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 223-8515
Herst. Teile-Nr.:: IPD26N06S2L35ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ IPD26N06S2L35ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

7340 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,59 €

(ohne MwSt.)

0,70 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	0,59 €	11,80 €
100 - 180	0,472 €	9,44 €
200 - 480	0,436 €	8,72 €
500 - 980	0,407 €	8,14 €
1000 +	0,377 €	7,54 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 223-8515
Herst. Teile-Nr.:: IPD26N06S2L35ATMA2
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IPD26N06S2L35ATMA2

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie in DPAK-Gehäuse. Sie bietet die Vorteile höchster Strombelastbarkeit, niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz und robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Kfz AEC Q101 zugelassen
• MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow
• Betriebstemperatur: 175 °C.
• Grünes Gehäuse
• Sehr niedrige Rds
• 100 % Lawinenprüfung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	OptiMOS™
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,035 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™ IPD26N06S2L35ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Technische Daten

Verwandte Produkte