Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 223-8517
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N06S409ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 223-8517
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N06S409ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	71W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17nC
	Durchlassspannung Vf	0.95V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 71W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC
	Durchlassspannung Vf 0.95V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD50N06S409ATMA2

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD50N06S409ATMA2

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das zur Steuerung der Stromversorgung in elektronischen Systemen entwickelt wurde, die hohe Ströme und moderate Spannungen erfordern. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist, und ist für den Einsatz in Bereichen vorgesehen, in denen effiziente Schalt- und Energiemanagement erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste im Hochstrombetrieb
• Hohe kontinuierliche Ablassleistung unterstützt anhaltende 50-A-Ströme
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsstufen
• 71 W Verlustleistung ermöglicht die Handhabung erhöhter thermischer Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 17 nC ermöglicht relativ schnelle Schaltübergänge
• 20-V-Gate-Toleranz für höhere Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler-Schaltstufen
• Ideal für Motor-Treiber-Leistungsstufen in industriellen Steuerungen
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für die DC/DC-Stromumwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Stromverteilungsmodule an oberflächenmontierten Baugruppen

Wie groß ist der zulässige Gate-Treiber-Bereich des Geräts?

Das Gate kann mit bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle betrieben werden, ohne seine Gate-Spannungsgrenze zu überschreiten.

Wie wirkt sich der thermische Bereich auf den Einsatz in rauen Umgebungen aus?

Er bleibt bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C betriebsbereit, sodass er in Anwendungen mit hohem Temperaturbereich eingesetzt werden kann, bei denen thermische Extreme auftreten.

Welche Verpackungs- und Montageverfahren wird für die Montage verwendet?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Baugruppen ausgelegt ist.

Welche Leitungscharakteristik zeigt die Effizienz im eingeschalteten Zustand an?

Ein maximaler Drain-Source-Widerstand von 9 mΩ minimiert Spannungsabfall und Leitungsverluste bei hohen Strömen.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf Niederspannungsstufen aus?

Eine Durchlassspannung von 0,95 V begrenzt den zusätzlichen Spannungsabfall über das Gerät während der Leitung und trägt so zur Effizienz bei.