Infineon OptiMOS™ IPG20N06S2L65AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 20 A, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 223-8519
Herst. Teile-Nr.:: IPG20N06S2L65AATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ IPG20N06S2L65AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 20 A, 8-Pin TDSON

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Datasheet - IPG20N06S2L65AATMA1

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Produktdetails

Der Zweifach-N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 55 V. Sie bietet Vorteile einer größeren Quellkabelrahmenverbindung für die Drahtbindung und eine Klebeverbindung von 200 μm für bis zu 20 A Strom.

Kfz AEC Q101 zugelassen
• MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow
• Betriebstemperatur: 175 °C.
• Grünes Gehäuse
• Sehr niedrige Rds
• 100 % Lawinenprüfung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	TDSON
Serie	OptiMOS™
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,065 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Infineon OptiMOS™ IPG20N06S2L65AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 20 A, 8-Pin TDSON

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