Infineon BSS123I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 190 mA 0.5 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
225-0556
Herst. Teile-Nr.:
BSS123IXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

BSS123I

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.63nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.5W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon BSS123I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.

Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen

Torantriebsflexibilität

Geringere Designkomplexität

Umweltfreundlich

Hoher Gesamtwirkungsgrad

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