Infineon BSS138I N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 225-0560
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
6000 weitere Einheiten hinzufügen, um 18,00 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
156,00 €
(ohne MwSt.)
186,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,052 € | 156,00 € | - |
| 6000 - 12000 | 0,049 € | 147,00 € | 18,00 € |
| 15000 + | 0,047 € | 141,00 € | 75,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0560
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS138I | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS138I | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon BSS138I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.
Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen
Torantriebsflexibilität
Geringere Designkomplexität
Umweltfreundlich
Hoher Gesamtwirkungsgrad