Vishay N-Channel 80 V N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 248 A 500 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 225-9955
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ180EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 225-9955
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ180EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 248A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 248A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
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