Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2863
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
77,925 €
(ohne MwSt.)
92,725 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 425 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,117 € | 77,93 € |
| 50 - 100 | 3,054 € | 76,35 € |
| 125 + | 2,899 € | 72,48 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2863
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG080N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHG080N60E-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHP080N60E-GE3 TO-220
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin IMZA65R057M1HXKSA1 TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin IMW65R057M1HXKSA1 TO-247
- Vishay SIHB Typ N-Kanal 3-Pin SIHB080N60E-GE3 TO-263