Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin AUIRFR5410TRL TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,85 €

(ohne MwSt.)

15,30 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 8.540 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,57 €12,85 €
25 - 452,264 €11,32 €
50 - 1202,134 €10,67 €
125 - 2451,98 €9,90 €
250 +1,828 €9,14 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-1742
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR5410TRL
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

AUIRF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

205mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

66W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.22mm

Breite

6.73 mm

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-P-Kanal-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power bekannt ist, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Es ist bleifrei

Er ist RoHS-konform

Verwandte Links