Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 150 A, 8-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 229-1805
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUT150N10S5N035ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
2.016,00 €
(ohne MwSt.)
2.400,00 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,008 € | 2.016,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1805
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUT150N10S5N035ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IAUT | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IAUT | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon n-Kanal-MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen