Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 150 A, 8-Pin HSOF

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

15,82 €

(ohne MwSt.)

18,825 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.830 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 203,164 €15,82 €
25 - 452,784 €13,92 €
50 - 1202,596 €12,98 €
125 - 2452,406 €12,03 €
250 +2,248 €11,24 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-1806
Herst. Teile-Nr.:
IAUT150N10S5N035ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IAUT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

Verwandte Links