Infineon IAUT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 229-1807
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2000 + | 1,284 € | 2.568,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 229-1807
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 165A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | IAUT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 165A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie IAUT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
80 V, N-Kanal, max. 2,9 mΩ, Kfz-MOSFET, TOLL, OptiMOSTM-5
Zusammenfassung der Merkmale
•N-Kanal - Anreicherungstyp
•AEC-qualifiziert
•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
•175 °C Betriebstemperatur
•Umweltfreundliches Produkt (RoHS-konform)
•Extrem niedriger RDS(on)
•100 % Lawinengeprüft