Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

14,46 €

(ohne MwSt.)

17,205 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3.970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,892 €14,46 €
25 - 452,428 €12,14 €
50 - 1202,256 €11,28 €
125 - 2452,11 €10,55 €
250 +1,938 €9,69 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-1808
Herst. Teile-Nr.:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

165A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

IAUT

Gehäusegröße

HSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

80 V, N-Kanal, max. 2,9 mΩ, Kfz-MOSFET, TOLL, OptiMOSTM-5


Zusammenfassung der Merkmale


•N-Kanal - Anreicherungstyp

•AEC-qualifiziert

•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

•175 °C Betriebstemperatur

•Umweltfreundliches Produkt (RoHS-konform)

•Extrem niedriger RDS(on)

•100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links