Infineon IPZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 48 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-1852
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,507 € | 7,61 € |
| 75 - 135 | 0,481 € | 7,22 € |
| 150 - 360 | 0,461 € | 6,92 € |
| 375 - 735 | 0,441 € | 6,62 € |
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- 229-1852
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPZ | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPZ | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon n-Kanal-MOSFET mit Normalpegel für Kfz-Anwendungen. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen
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