onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 203 A 240 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 229-6446
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBGS004N10G
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 203A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SiC Power | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 203A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SiC Power | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.4mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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