onsemi SiC Power NTBG045N065SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 62 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 229-6443
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG045N065SC1
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Der MOSFET der on Semiconductor SiC Power-Serie verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung.
Höchster Wirkungsgrad
Schnellere Betriebsfrequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Verminderte elektromagnetische Störungen
Geringere Systemgröße
Schnellere Betriebsfrequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Verminderte elektromagnetische Störungen
Geringere Systemgröße
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 62 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Serie | SiC Power |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 7 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,05 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.3V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
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