onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 55 A 187 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
229-6459
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L045N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SiC Power

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Durchlassspannung Vf

4.4V

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

22.74mm

Länge

15.8mm

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET der on Semiconductor SiC Power-Serie verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung.

Höchster Wirkungsgrad

Schnellere Betriebsfrequenz

Erhöhte Leistungsdichte

Verminderte elektromagnetische Störungen

Geringere Systemgröße

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