onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 62 A 242 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
229-6444
Herst. Teile-Nr.:
NTBG045N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiC Power

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Maximale Verlustleistung Pd

242W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

4.8V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.2mm

Höhe

9.4mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET der on Semiconductor SiC Power-Serie verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung.

Höchster Wirkungsgrad

Schnellere Betriebsfrequenz

Erhöhte Leistungsdichte

Verminderte elektromagnetische Störungen

Geringere Systemgröße

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