onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 145 A 500 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

22,56 €

(ohne MwSt.)

26,85 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Nur noch Restbestände
  • Letzte 287 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
1 - 922,56 €
10 - 9919,45 €
100 +16,86 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6442
Herst. Teile-Nr.:
NTBG015N065SC1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiC Power

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

283nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

4.8V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.4mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET der on Semiconductor SiC Power-Serie verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung.

Höchster Wirkungsgrad

Schnellere Betriebsfrequenz

Erhöhte Leistungsdichte

Verminderte elektromagnetische Störungen

Geringere Systemgröße

Verwandte Links