onsemi SiC Power NTBG015N065SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 229-6441
Herst. Teile-Nr.:: NTBG015N065SC1
Marke:: onsemi

onsemi SiC Power NTBG015N065SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Der MOSFET der on Semiconductor SiC Power-Serie verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung.

Höchster Wirkungsgrad
Schnellere Betriebsfrequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Verminderte elektromagnetische Störungen
Geringere Systemgröße

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	145 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	SiC Power
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	0,018 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4.3V
Transistor-Werkstoff	SiC
Anzahl der Elemente pro Chip	1

onsemi SiC Power NTBG015N065SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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