onsemi NBTLS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 203 A 167 W, 8-Pin M0-299A

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Herst. Teile-Nr.:
NTBLS1D7N08H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

203A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

M0-299A

Serie

NBTLS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Länge

11.78mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand und eine niedrige Gate-Ladung. Er hat 203 A Drain-Strom. Er wird in Elektrowerkzeugen, Batterie betriebenen Staubsaugern, UAV/Drohnen, Materialhandhabung, BMS/Lagerung und Heimautomatisierung eingesetzt.

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Niedriges Schaltgeräusch/EMI

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