onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 110 A 187 W, 8-Pin PQFN

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229-6473
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS7D8N10GTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

NTMFS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

92nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.84V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Breite

1.1 mm

Höhe

6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Minimierung von Leitungsverlusten

Hohe Peak-UIS-Strombelastbarkeit für Robustheit

Halogenfrei

Bleifrei

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