Infineon OptiMOS™ 5 ISC0803NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 37 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 232-6760
Herst. Teile-Nr.:: ISC0803NLSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 ISC0803NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 37 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,148 €

(ohne MwSt.)

1,366 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,148 €	5,74 €
50 - 120	1,034 €	5,17 €
125 - 245	0,976 €	4,88 €
250 - 495	0,908 €	4,54 €
500 +	0,838 €	4,19 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 232-6760
Herst. Teile-Nr.:: ISC0803NLSATMA1
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Datasheet - ISC0803NLSATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100%ig auf Stoßentladung geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	37 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0169 O, 0,0219 O
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon OptiMOS™ 5 ISC0803NLSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 37 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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