Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 71 A 74 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

1.490,00 €

(ohne MwSt.)

1.775,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,298 €1.490,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
232-6763
Herst. Teile-Nr.:
ISC0805NLSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

71A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.7mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links