Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 86 A 65 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

8,34 €

(ohne MwSt.)

9,925 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4.990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,668 €8,34 €
50 - 1201,504 €7,52 €
125 - 2451,40 €7,00 €
250 - 4951,302 €6,51 €
500 +1,198 €5,99 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6772
Herst. Teile-Nr.:
ISZ0702NLSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.6mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Höhe

3.4mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 60 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Die Produkte bieten eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links