Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 58 A 60 W, 8-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:
ISZ0804NLSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.5mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das PQFN-Gehäuse mit 3,3 x 3,3 bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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