STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 233-3092
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
3,85 €
(ohne MwSt.)
4,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 38.595 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 0,77 € | 3,85 € |
| 10 - 95 | 0,732 € | 3,66 € |
| 100 - 245 | 0,696 € | 3,48 € |
| 250 - 495 | 0,66 € | 3,30 € |
| 500 + | 0,626 € | 3,13 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3092
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STN3N | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STN3N | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Power MOSFET ist die neueste Entwicklung des STMicroelectronics einzigartigen "Single Feature Size"-Streifen-Verfahrens. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Robuste Lawinentechnologie
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 4-Pin STN3NF06L SOT-223
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 200 V / 1 A 3.3 W, 4-Pin STN4NF20L SOT-223
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 4-Pin STN1HNK60 SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
