STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 233-3092
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
3,85 €
(ohne MwSt.)
4,60 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 145 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 38.595 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 0,77 € | 3,85 € |
| 10 - 95 | 0,732 € | 3,66 € |
| 100 - 245 | 0,696 € | 3,48 € |
| 250 - 495 | 0,66 € | 3,30 € |
| 500 + | 0,626 € | 3,13 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3092
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Power MOSFET ist die neueste Entwicklung des STMicroelectronics einzigartigen "Single Feature Size"-Streifen-Verfahrens. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Robuste Lawinentechnologie
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 200 V / 1 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH3 Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
