Renesas Electronics BEAM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 50 W, 8-Pin WPAK

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
234-7152
Herst. Teile-Nr.:
RJK0391DPA-00#J5A
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

BEAM

Gehäusegröße

WPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0029Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.1mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free, Halogen-Free

Höhe

0.85mm

Breite

5.9 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 30 V. Er ist für einen 4,5-V-Gate-Antrieb geeignet.

Hochgeschwindigkeits-Schalten

Niedriger Antriebsstrom

Montage mit hoher Dichte

Geringer Durchlasswiderstand

Pb-frei

Halogenfrei

Verwandte Links