Infineon BSC0803LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 44 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 235-0603
Herst. Teile-Nr.:: BSC0803LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC0803LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 44 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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Datasheet - BSC0803LSATMA1

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Produktdetails

Der Infineon OptiMOSTM5-Leistungstransistor arbeitet mit 100 V und einem Ablassstrom von 4 A. Das OptiMOSTM5-Portfolio von Infineon richtet sich an USB-PD- und Adapteranwendungen. Die Produkte bieten schnelle Aufwärtsregler und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOSTM-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer BOM-Kostenreduzierung führt. OptiMOSTM PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Optimiert für leistungsstarke SMPS
100 % Avalanche-geprüft
Überlegener Wärmewiderstand
N-Kanal, Logikpegel
Bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	44 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0146 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Silicon

Infineon BSC0803LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 44 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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